標題: 控制奈米碳管管束密度的方法與奈米碳管的製造方法
作者: 郭正次
潘扶民
陳柏林
張峻愷
公開日期: 1-六月-2006
摘要: 一種控制奈米碳管管束密度的方法,適於利用一化學氣相沉積法在一氧化物模板的奈米級孔洞內成長奈米碳管,其特徵在於氧化物模板係經由兩階段陽極氧化處理,以形成具有陣列排列的奈米級孔洞;以及利用控制化學氣相沉積法的反應氣氛之種類與比例,來控制奈米碳管之管束密度。因此,本發明能有效提昇奈米碳管之應用性。
官方說明文件#: C01B031/02
B82B003/00
C01B031/02
B82B003/00
URI: http://hdl.handle.net/11536/104188
專利國: TWN
專利號碼: 200616890
顯示於類別:專利資料


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