標題: 化合物半導體元件之銅金屬化之歐姆接觸電極
作者: 李承士
張翼
陳克弦
公開日期: 16-Jul-2007
摘要: 一種化合物半導體元件之銅金屬化之歐姆接觸電極,經過電子束蒸鍍沈積鈀(Pd)層、鍺(Ge)層及銅(Cu)層於化合物半導體元件上所組成,接著利用浮離製程(Lift-off)去除多餘之金屬及光阻,最後進行快速高溫退火過程而形成歐姆接觸電極。其中低電阻値之歐姆接觸電極係利用調整鈀層、鍺層及銅層之厚度及配合退火溫度而形成,可應用於銅金屬化製程,有效增加化合物半導體元件的散熱特性,且使生產成本降低。
官方說明文件#: H01L029/47
H01L021/285
URI: http://hdl.handle.net/11536/104070
專利國: TWN
專利號碼: 200727470
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