標題: 氮化鋁疏水薄膜結構與製造方法及其在有機薄膜電晶體之應用
作者: 顏國錫
冉曉雯
黃振昌
陳建勳
葉峻銘
劉薄寬
古國欣
公開日期: 1-十月-2008
摘要: 一種氮化鋁疏水薄膜結構與製造方法及其在有機薄膜電晶體之應用,乃提出具有高疏水性的氮化鋁薄膜,其具有高的水滴接觸角以及低的表面能,而利於成長疏水性薄膜,構成良好匹配之氮化鋁疏水薄膜結構,並適合作為有機薄膜電晶體的閘極介電層,以降低疏水性有機半導體薄膜與氧化鋁薄膜之間的介面缺陷,且兼具低閘極漏電及高介電係數等特質。
官方說明文件#: G02F001/136
H01L029/786
URI: http://hdl.handle.net/11536/103951
專利國: TWN
專利號碼: 200839392
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. 200839392.pdf