標題: 低漏電之氮化鋁介電層的製造方法
作者: 顏國錫
冉曉雯
黃振昌
陳建勳
葉峻銘
劉薄寬
古國欣
公開日期: 1-十月-2008
摘要: 一種低漏電之氮化鋁介電層的製造方法,利用鋁鈀、氮氣與氬氣濺鍍氮化鋁薄膜作為高疏水性的介電層,此氮化鋁介電層具低閘極漏電及高介電係數等特質,適合作為薄膜電晶體的閘極絕緣層,而本發明利用調整沉積薄膜時的氣體混合比例,來抑制氮化鋁介電層的漏電,而可在低溫的條件下成長高品質的氮化鋁介電層,並可製作出低電壓的高效能電晶體。
官方說明文件#: H01L021/318
H01L051/40
URI: http://hdl.handle.net/11536/103950
專利國: TWN
專利號碼: 200839874
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