標題: 自組式金屬奈米島陣列之製作方法
作者: 張原銘
莊振益
戴鴻名
王浩偉
曾文綬
高斌栩
張樂融
公開日期: 21-三月-2014
摘要: 一種自組式金屬奈米島陣列之製作方法,係藉由在一半導體基材上進行一濺鍍製程,以形成一金屬奈米島陣列。利用此種製作方法,僅需單一濺鍍製程,即可完成金屬奈米島陣列的製作,相較於習知,不僅可有效減少繁瑣之製程步驟,更可進一步地節約能源、電力及製作成本。
官方說明文件#: B82B003/00
B82Y040/00
URI: http://hdl.handle.net/11536/103942
專利國: TWN
專利號碼: I430938
顯示於類別:專利資料


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