標題: 一種於氮化物半導體進行蝕刻的方法
作者: 李威儀
黃信雄
曾虹諭
公開日期: 1-十一月-2008
摘要: 本發明於氮化鎵層上形成介電層,利用曝光以及顯影蝕刻製程使該介電層形成條狀或點狀之圖形,並以該介電層作為後續氮化鎵層進行側向成長(Epitaxy Lateral Overgrowth)之遮罩,在氮化鎵層上方長成氮化鎵厚膜,接著以濕蝕刻方式將介電層移除,並蝕刻介電層上方之氮化鎵厚膜,以形成所需之特定形狀。
官方說明文件#: H01L021/306
URI: http://hdl.handle.net/11536/103939
專利國: TWN
專利號碼: 200842967
顯示於類別:專利資料


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