標題: 一種利用奈米柱狀結構提升發光二極體光輸出效率之方法
作者: 黃泓文
盧廷昌
邱清華
郭浩中
王興宗
公開日期: 16-十二月-2008
摘要: 本發明為一種利用光電化學(PEC)氧化技術形成具有奈米柱狀結構(Nano Rod)之發光二極體技術,首先在發光二極體的表面鍍上一層薄膜金屬層,經熱處理後形成金屬顆粒遮罩,進行蝕刻沒有遮罩保護的部分,再將金屬遮罩移除以形成奈米柱狀結構。接著將形成奈米柱狀結構的發光二極體進行光電化學氧化,即通過一定電壓並照射汞燈,故除正型半導體材料外,材料之表面積均可形成一氧化層,最後再鍍上金屬層,進行導通正型半導體材料以形成具有奈米柱狀結構之發光二極體。
官方說明文件#: H01L033/00
URI: http://hdl.handle.net/11536/103933
專利國: TWN
專利號碼: 200849650
顯示於類別:專利資料


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