標題: 具有奈米線通道之非揮發性記憶體元件及其製造方法
作者: 林鴻志
蘇俊榮
徐行徽
公開日期: 16-三月-2009
摘要: 一種具有奈米線通道之非揮發性記憶體元件及其製造方法,乃利用側向蝕刻方式,使側閘極側壁內縮來形成奈米線模型,從而將奈米線通道製作於側閘極側壁的介電層上,完成具有奈米線通道及透過雙閘極控制之非揮發性記憶體元件,此非揮發性記憶體元件係可達到提升資料寫入和抹除效率,並具有低電壓操作的能力,而且,本發明可在成本低和簡易步驟之製程下,完成重複性高及可量產化之奈米線元件製作。
官方說明文件#: H01L021/8246
H01L027/112
URI: http://hdl.handle.net/11536/103909
專利國: TWN
專利號碼: 200913162
顯示於類別:專利資料


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