標題: 於半導體基板上形成三族氮化物半導體層的方法
作者: 張俊彥
楊宗
沈詩國
公開日期: 16-四月-2009
摘要: 本發明為一種於半導體基板上形成三族氮化物半導體層的方法。首先,提供一半導體基板,其半導體基板上具有一清潔表面;再形成一氮化鎵奈米柱緩衝層;覆蓋成長形成一氮化鎵磊晶層於氮化鎵奈米柱緩衝層上,藉以形成三族氮化物半導體層於半導體基板上。
官方說明文件#: H01L021/20
H01L051/00
URI: http://hdl.handle.net/11536/103898
專利國: TWN
專利號碼: 200917337
顯示於類別:專利資料


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