標題: 三元內容可定址記憶體之漏電流超截斷裝置
作者: 黃柏蒼
劉文彥
黃威
公開日期: 1-七月-2009
摘要: 一種應用於三元內容可定址記憶體漏電流截斷裝置,其於不同的操作模式下,控制高端與低端閘極電源電晶體之導通或截止以降低三元內容可定址記憶體無關項記憶胞之漏電流。
官方說明文件#: G11C007/12
URI: http://hdl.handle.net/11536/103867
專利國: TWN
專利號碼: 200929247
顯示於類別:專利資料


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