標題: 三元內容可定址記憶體漏電流截斷裝置
作者: 黃柏蒼
劉文彥
黃威
公開日期: 1-七月-2009
摘要: 一種應用於三元內容可定址記憶體漏電流截斷裝置。三元內容可定址記憶體之儲存記憶胞區分為運轉模式、待機模式及截止模式,本發明利用多模式閘極電源控制裝置降低三元電晶體可定址記憶體之儲存記憶胞在待機模式及截止模式之漏電流並維持運轉模式執行效能。
官方說明文件#: G11C007/24
URI: http://hdl.handle.net/11536/103866
專利國: TWN
專利號碼: 200929256
顯示於類別:專利資料


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