標題: 奈米熱電裝置的製造方法
作者: 朝春光
陳蓉萱
楊大緯
公開日期: 16-八月-2009
摘要: 本發明係揭露一種奈米熱電裝置的製造方法,提供至少一模板,而該模板具有一組奈米孔洞,在模板底部形成一基板之後,將一半導體之熔融金屬液注入該組奈米孔洞中,以形成一組半導體奈米線,再來去除該基板,以得到一半導體奈米線陣列,最後利用一金屬導體以串聯方式連結至少二半導體奈米線陣列,形成熱電元件,此熱電元件係具有較高的熱電轉換效率。
官方說明文件#: H01L035/34
URI: http://hdl.handle.net/11536/103851
專利國: TWN
專利號碼: 200935635
顯示於類別:專利資料


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