標題: 記憶體元件及其製作方法
作者: 邱碧秀
張麗君
何嘉政
李岱螢
沈佑書
公開日期: 1-十月-2009
摘要: 本發明係揭露一種記憶體元件及其製造方法。記憶體元件包含基板、絕緣層、第一導電層、鈦酸銅鈣電阻層以及第二導電層。絕緣層形成於基板之上。第一導電層形成於絕緣層之上。鈦酸銅鈣電阻層形成於第一導電層之上。第二導電層形成於鈦酸銅鈣電阻層之上。於製作時,首先,提供基板,接著於基板之上形成絕緣層,之後於絕緣層之上形成第一導電層,然後利用溶膠凝膠法於第一導電層之上形成鈦酸銅鈣電阻層,最後,於鈦酸銅鈣電阻層之上形成第二導電層。本發明不僅符合電子產品低電壓之需求,且能在降低成本的同時,提升產品之可靠度與相容性。
官方說明文件#: H01L027/10
H01L021/822
URI: http://hdl.handle.net/11536/103830
專利國: TWN
專利號碼: 200941709
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