標題: 發光二極體結構及其製造方法
作者: 張俊彥
楊宗熺
公開日期: 16-十一月-2009
摘要: 本發明係提供一種發光二極體(LED)結構,該發光二極體係包含一四族半導體構成之基板,一AlN成核層,形成於該四族基板上,一GaN磊晶層,形成於該AlN成核層上,一分散式布拉格反射鏡(DBR)多層結構,形成於該圖型化之GaN磊晶層上,以及一LED作用層結構,形成於該DBR多層結構上。
官方說明文件#: H01L033/00
URI: http://hdl.handle.net/11536/103810
專利國: TWN
專利號碼: 200947750
顯示於類別:專利資料


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