標題: 具懸浮式奈米通道之電晶體結構與其製造方法
作者: 林鴻志
蘇俊榮
徐行徽
李冠樟
公開日期: 1-五月-2010
摘要: 一種具懸浮式奈米通道之電晶體結構與其製造方法,其包含有一基底;一位於基底上的側閘極;一覆蓋於基底與側閘極上的介電層;一位於側閘極之側邊的懸浮式奈米線通道,其與介電層間具有一氣隙;以及一源極電極與一汲極電極,其係設置於介電層上且分設於懸浮式奈米線通道的兩端。藉由側閘極之靜電力對懸浮式奈米線通道之吸附或分離,來達到快速改變等效側閘極介電層厚度,而使元件在開關狀態上快速切換或改變通道之起始電壓。
官方說明文件#: H01L021/336
H01L029/772
URI: http://hdl.handle.net/11536/103754
專利國: TWN
專利號碼: 201017769
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