標題: 利用離子佈植形成金屬誘發結晶的製作方法
作者: 張志榜
吳耀銓
公開日期: 1-八月-2010
摘要: 本發明提供一種利用離子佈植形成金屬誘發結晶的製作方法,其係提供一絕緣基板並於基板上形成一非晶矽層,隨後於非晶矽層上形成一圖案化阻擋層,以定義出至少一顯露出部分非晶矽層的開口,於開口內沉積一催化元素層,對催化元素層進行離子佈植,以將催化元素層之金屬離子驅入非晶矽層內,最後移除催化元素層與圖案化阻擋層並進行退火製程,以使非晶矽層形成無催化元素殘留與污染的較佳結晶。
官方說明文件#: H01L021/265
H01L021/20
URI: http://hdl.handle.net/11536/103713
專利國: TWN
專利號碼: 201029057
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