標題: 一種成長III-V族氮化物薄膜之方法及其結構
作者: 李威儀
黃信雄
陳奎銘
葉彥顯
公開日期: 16-十月-2010
摘要: 一種成長III-V族氮化物薄膜之方法及其結構,其係利用氫化物蒸氣相磊晶方法來進行。此方法至少包含在介於900℃至950℃間之第一成長溫度,且以每分鐘0.5℃至10℃之一升溫速度,緩慢地於基板上磊晶成長一升溫氮化物層,直至溫度升溫至介於1000℃至1050℃間之第二成長溫度。本發明之升溫氮化物層,其晶格品質會隨著膜層高度而緩慢變化,因而能消除藍寶石基板與氮化鎵層之間因晶格不匹配而造成的應力。
官方說明文件#: H01L021/318
C30B029/38
URI: http://hdl.handle.net/11536/103685
專利國: TWN
專利號碼: 201037766
顯示於類別:專利資料


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