標題: 結合矽奈米線閘極二極體之感測元件、製造方法及其檢測系統
作者: 許鉦宗
陳振嘉
公開日期: 1-一月-2011
摘要: 本發明係揭露一種結合矽奈米線閘極二極體之感測元件、製造方法及其檢測系統。此感測元件包含一矽奈米線閘極二極體、一頓化層以及一微流道。頓化層包覆此矽奈米線蕭特基二極體且具有一經修飾之表面,微流道與頓化層接合。當一待測樣品透過該微流道接觸此經修飾之表面時,矽奈米線閘極二極體係相對應地產生一電性訊號,如電流值、電阻值或電導值變化,藉此此電性訊號之變化以檢測待測樣品之存在。
官方說明文件#: G01N033/50
URI: http://hdl.handle.net/11536/103661
專利國: TWN
專利號碼: 201100796
顯示於類別:專利資料


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