標題: 自我對準薄膜電晶體之製造方法及其結構
作者: 周政偉
冉曉雯
蔡娟娟
公開日期: 16-一月-2011
摘要: 一種自我對準薄膜電晶體之製造方法,首先提供具有相對的第一面與第二面之透明基板,並且依序沉積一氧化物閘極、介電層、及光阻層於透明基板的第一面上。接著,對基板的第二面照射紫外光,以對光阻層進行曝光,其中以氧化物閘極製成的閘極係做為光罩,並吸收照射至對應於氧化物閘極之光阻層的紫外光。接著移除曝光之光阻層,並沉積一透明導電層於未曝光之光阻層及介電層上。對透明導電層執行圖案化製程,以形成源極與汲極,並形成主動層覆蓋於源極、汲極、及介電層上,以完成一自我對準薄膜電晶體結構。
官方說明文件#: H01L021/336
H01L029/786
URI: http://hdl.handle.net/11536/103654
專利國: TWN
專利號碼: 201103090
顯示於類別:專利資料


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