標題: 具有高氮含量氮化鎢蕭特基閘極接觸之HEMT氮化鎵電晶體及其製造方法
作者: 張翼
呂宗育
公開日期: 16-三月-2011
摘要: 提供一種具有高氮含量氮化鎢蕭特基閘極接觸之HEMT氮化鎵電晶體,在基底上依序具有氮化鎵層、氮化鋁鎵層、蕭特基閘極以及位於閘極兩側之源極與汲極。其中蕭特基閘極的材料為氮莫耳百分比為0.5之氮化鎢。
官方說明文件#: H01L029/778
H01L029/812
H01L021/334
URI: http://hdl.handle.net/11536/103632
專利國: TWN
專利號碼: 201110344
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. 201110344.pdf