標題: 三五族半導體元件之歐姆接觸電極及其製造方法
作者: 張翼
郭建億
張俊彥
公開日期: 1-五月-2011
摘要: 使用重摻雜之磊晶矽鍺材料或具有不同銦含量之磊晶砷化銦鎵材料來形成三五族半導體元件之源極與汲極,以透過矽鍺材料或砷化銦鎵材料對於三五族半導體元件通道所施加的應力來增加電子移動率。
官方說明文件#: H01L029/778
H01L021/338
H01L021/28
URI: http://hdl.handle.net/11536/103605
專利國: TWN
專利號碼: 201115735
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