標題: 具有三五族通道及四族源汲極之半導體裝置及其製造方法
作者: 張俊彥
公開日期: 1-六月-2011
摘要: 本發明係關於具有三五族通道及四族源汲極之半導體裝置及其製造方法,具體而言,係藉由三五族與四族材料的異質磊晶及元件的結構設計來提高三五族材料的能階密度及摻雜濃度。該方法包括:製備基板;在該基板上沉積假閘極材料層,利用微影法將該假閘極材料層定義出假閘極;以該假閘極作為遮罩實施自我對準式離子佈植而進行摻雜,進行高溫活化而形成源汲極;去除該假閘極;藉由蝕刻,在成對之該源汲極之間的該基板形成凹陷;在該凹陷中磊晶形成包含通道之堆疊元件;及在該包含通道之堆疊元件上形成閘極。
官方說明文件#: H01L029/15
H01L029/12
H01L029/78
H01L021/28
URI: http://hdl.handle.net/11536/103595
專利國: TWN
專利號碼: 201119031
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