標題: 電阻式隨存記憶體之製作方法
作者: 曾俊元
王聖裕
蔡承翰
公開日期: 16-七月-2011
摘要: 本發明提供一種電阻式隨存記憶體之製作方法,包含:(a)於一基材上形成一第一電極;(b)於該第一電極上以一175℃至225℃的製程溫度形成一氧化鋯之可變電阻層;及(c)於該可變電阻層上形成一Ti的第二電極。
官方說明文件#: H01L027/24
H01L045/00
URI: http://hdl.handle.net/11536/103568
專利國: TWN
專利號碼: 201125114
顯示於類別:專利資料


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