標題: 超晶格結構的太陽能電池
作者: 張俊彥
公開日期: 16-八月-2011
摘要: 本發明提供一種高效率新型a-Si/c-Si之薄膜太陽能電池,其使用選自於由超晶格層、a-SiGe層、a-Si與μc-Si之混合層、及a-Si與poly-Si之混合層所構成的群組之至少一者來作為具有固定能隙之過渡層,或者是使用選自於由超晶格層、a-SiGe層、a-Si漸變為μc-Si之層、及a-Si漸變為poly-Si之層所構成的群組之至少一者來形成具有漸變能隙之過渡層,來取代習知的多接面串疊型太陽電池中之n+/TCO/p+接面,使太陽能電池的整體能隙更平滑而降低載子被再結合的機率,其中藉由在成膜期間調整製程氣體中之氫含量來形成a-Si與μc-Si之混合層、a-Si與poly-Si之混合層、a-Si漸變為μc-Si之層、或a-Si漸變為poly-Si之層。此外,藉由在a-Si/c-Si二層光吸收層結構中增加作為第3層光吸收層之μc-Ge層而成為a-Si/c-Si/μc-Ge三層光吸收層結構,能吸收太陽光譜中之長波長光,提升光吸收效果。
官方說明文件#: H01L031/065
H01L031/028
H01L031/18
URI: http://hdl.handle.net/11536/103556
專利國: TWN
專利號碼: 201128789
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