標題: 電流限制電路裝置
作者: 陳宗麟
張翼
成維華
鄭泗東
鄭時龍
黃士維
公開日期: 1-六月-2014
摘要: 本發明係提供一種電流限制電路裝置,係連接一氮化鎵電晶體之一閘極,該電流限制電路包含:二極體、第一電晶體、第二電晶體、第一電阻、第二電阻、第三電阻,第一電晶體之源極與汲極係耦接於二極體,第二電晶體之汲極係耦接第一電晶體之閘極,第一電阻耦接二極體以及第一電晶體之源極,第二電阻一端耦接第二電晶體之源極,第三電阻一端耦接於第四電阻以及第一電晶體之閘極,另一端係耦接第二電晶體閘極,第一電晶體之汲極耦接於氮化鎵電晶體之閘極,當氮化鎵電晶體之閘極所流出之電流高於預定值時,第一電晶體係關閉,藉由限制該氮化鎵電晶體之閘極所流出之該電流,以提高該氮化鎵電晶體之崩潰電壓。
官方說明文件#: G05F003/02
URI: http://hdl.handle.net/11536/103542
專利國: TWN
專利號碼: I439841
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