標題: 增強式高電子移動率電晶體及其製造方法
作者: 張翼
張嘉華
林岳欽
公開日期: 1-二月-2012
摘要: 本發明揭示一種增強式高電子移動率電晶體及其製造方法,其包括:一緩衝層,磊晶於一基板上;一源級及汲級,形成於該緩衝層上;複數個P-N接面,其係由多層堆疊之P-N接面形成於該緩衝層上、及該源級與汲級之間;及一閘極,形成於該等P-N接面之堆疊上;其中該P-N接面係由一P型及一N型半導體層所構成。
官方說明文件#: H01L029/778
H01L021/335
H01L021/28
URI: http://hdl.handle.net/11536/103503
專利國: TWN
專利號碼: 201205806
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