標題: 光電晶體
作者: 冉曉雯
孟心飛
蔡娟娟
陳蔚宗
趙宇強
公開日期: 1-二月-2012
摘要: 本發明係揭露一種光電晶體,該光電晶體包含有一基板、一閘極層、一介電層、一主動層、一源極及一汲極及一光吸收層。閘極層係設於基板上,而介電層則設於閘極層上。主動層係具有一第一能隙並設於介電層上,而源極及汲極則係設於主動層上。其中,光吸收層係具有一第二能隙並覆蓋主動層、源極及汲極,且第二能隙小於第一能隙。
官方說明文件#: H01L031/113
URI: http://hdl.handle.net/11536/103502
專利國: TWN
專利號碼: 201205846
顯示於類別:專利資料


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