標題: 具有氧化鐠之介電結構、具有氧化鐠之電晶體及其製造方法
作者: 張翼
林岳欽
公開日期: 16-四月-2012
摘要: 本發明係揭露一種具有氧化鐠之介電結構、具有氧化鐠之電晶體及其製造方法,該具有氧化鐠之電晶體係至少包含一三五族基板、一閘極介電層及一閘極。其中,閘極介電層係設於三五族基板上,閘極則設於閘極介電層上,而介電層係為氧化鐠(PrxOy)。本發明藉由使用具有高介電係數以及高能隙之氧化鐠(Pr6O11)作為介電層材料,除了有效的抑制漏電流外,更可進一步降低以三五族材料作為基板的元件之等效氧化物厚度(EOT)。
官方說明文件#: H01L021/316
H01L029/78
H01L021/336
URI: http://hdl.handle.net/11536/103471
專利國: TWN
專利號碼: 201216363
顯示於類別:專利資料


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