標題: 具有氮化鎵層的多層結構基板及其製法
作者: 張翼
蕭佑霖
呂榮淇
公開日期: 1-May-2012
摘要: 一種具有氮化鎵層的多層結構基板之製法,其係先在承載板上形成具有複數開孔之網狀層,並於該開孔內的承載板上依序形成緩衝層、三層不同鋁濃度之氮化鋁鎵層與氮化鎵層。本發明之三層不同鋁濃度之氮化鋁鎵層係能有效釋放應力、減少氮化鎵層表面裂痕與控制內部缺陷,因此可形成較大面積、較大厚度、無裂痕且較高品質的氮化鎵層,進而有利於高效能電子元件的製作。本發明復提供一種具有氮化鎵層的多層結構基板。
官方說明文件#: H01L021/20
H01L029/205
URI: http://hdl.handle.net/11536/103462
專利國: TWN
專利號碼: 201218249
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