標題: 串接式之高電子遷移率電晶體元件及其製造方法
作者: 張翼
許恒通
公開日期: 1-五月-2012
摘要: 一種串接式之高電子遷移率電晶體元件的製造方法,該方法係利用製程中定義出多個高電子遷移率電晶體,並以內連接的方式將所述高電子遷移率電晶體進行串接。因此,在等效電路上可達到累加電壓的效果,故可形成具有高崩潰電壓特性的元件。
官方說明文件#: H01L021/8232
H01L021/335
H01L027/085
H01L029/778
URI: http://hdl.handle.net/11536/103461
專利國: TWN
專利號碼: 201218319
顯示於類別:專利資料


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