標題: 氮化鎵電晶體的製作方法
作者: 張翼
張嘉華
林岳欽
公開日期: 16-五月-2012
摘要: 本發明提供一種氮化鎵電晶體的製作方法,包含一準備步驟、一開口形成步驟、一離子佈値步驟、一介電層形成步驟、一源/汲極沉積步驟,及一閘極沉積步驟,首先準備一含N型氮化鎵系半導體材料的半導體磊晶層,於該半導體磊晶層上形成一定義出一開口的遮覆層,接著對該半導體磊晶層進行P型離子佈値,於該半導體磊晶層形成一摻雜區,再於該半導體磊晶層表面沉積一層由高介電常數材料構成的介電層,之後於該半導體磊晶層表面對應該摻雜區兩側形成一源極及一汲極,再於對應該摻雜區上方的介電層表面形成一閘極,即可完成該氮化鎵電晶體的製作。
官方說明文件#: H01L021/335
URI: http://hdl.handle.net/11536/103452
專利國: TWN
專利號碼: 201220405
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. 201220405.pdf