標題: 金屬氧化物薄膜電晶體結構及其製造方法
作者: 冉曉雯
蔡娟娟
陳蔚宗
薛琇文
公開日期: 16-五月-2012
摘要: 一種金屬氧化物薄膜電晶體結構,包含:一閘極;一設於該閘極上的介電層;一設於該介電層上之主動層;分別設於該主動層上相間隔之一源極與一汲極;以及一臨界電壓調製層,其係直接接觸於該電晶體結構的背通道,該臨界電壓調製層與該主動層具有功函數差。藉此,本發明係使用功函數差進行元件之臨界電壓的調製。
官方說明文件#: H01L029/786
H01L021/336
URI: http://hdl.handle.net/11536/103451
專利國: TWN
專利號碼: 201220504
顯示於類別:專利資料


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