標題: 使用無源極和汲極接面場效電晶體之基本互補式邏輯閘之構造及其製造方法
作者: 莊紹勳
謝易叡
公開日期: 1-六月-2012
摘要: 本發明提出一種使用無源極、汲極接面之場效電晶體之基本互補式邏輯閘之構造及其製造方法,於半導體晶圓(wafer)上,形成無源極和汲極接面之N通道電晶體及無源極和汲極接面之P通道電晶體,在電晶體間以導電之連接結構互相連接,形成基本互補式邏輯閘(如inverter, NAND, NOR等邏輯閘)。
官方說明文件#: H01L027/092
H01L021/8238
URI: http://hdl.handle.net/11536/103445
專利國: TWN
專利號碼: 201222785
顯示於類別:專利資料


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