標題: 具有電晶體的半導體元件及其製法
作者: 冉曉雯
蔡娟娟
孟心飛
蔡武衛
陳家新
公開日期: 1-九月-2012
摘要: 一種具有電晶體的半導體元件,係包括:承載板;金屬氧化物半導體層,係設於該承載板上;介電層,係設於該金屬氧化物半導體層上,該介電層係構成微奈米級線寬的圖案,俾外露部分該金屬氧化物半導體層,該金屬氧化物半導體層之外露表面的載子濃度大於該金屬氧化物半導體層內部的載子濃度;圖案化遮罩層,係設於該介電層之頂面上;以及源極金屬層與汲極金屬層,係設於外露之該金屬氧化物半導體層上。本發明係於閘極區進行微奈米等級的圖形摻雜,因此大幅增進了有效載子遷移率,並提升電晶體的操作特性。本發明復提供一種具有電晶體的半導體元件之製法。
官方說明文件#: H01L021/336
H01L021/28
H01L029/78
URI: http://hdl.handle.net/11536/103393
專利國: TWN
專利號碼: 201236080
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