標題: 半導體製程方法
作者: 吳耀銓
王寶明
蕭豐慶
公開日期: 16-九月-2012
摘要: 本發明提供一種半導體製程方法,包含下列步驟:提供一成長基板;在該成長基板上形成一半導體基板;在該半導體基板與該成長基板之間形成一第一凹凸結構;以及改變該成長基板與該半導體基板的溫度。
官方說明文件#: H01L021/324
H01L033/00
URI: http://hdl.handle.net/11536/103385
專利國: TWN
專利號碼: 201237963
顯示於類別:專利資料


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