標題: 奈米級側向成長磊晶之薄膜發光二極體及其製作方法
作者: 李佳祐
王朝勳
邱鏡學
郭浩中
公開日期: 1-十一月-2012
摘要: 本發明提供一種奈米級側向成長磊晶之薄膜發光二極體及其製作方法。本發明之奈米級側向成長磊晶之薄膜發光二極體包含有一基板;一位於基板上的接合金屬層;一位於接合金屬層上的第一電極;一位於第一電極上的半導體結構,其係側向磊晶所形成;以及一位於半導體結構上的第二電極,上述之半導體結構未被第二電極所附蓋的上表面形成有一奈米級粗糙化結構。本發明藉由側向磊晶成長方式有效抑制半導體結構內的疊層缺陷與降低差排密度,提升發光層結晶品質,降低漏電流,同時半導體結構表面形成有粗化結構,以提升外部量子效率。
官方說明文件#: H01L033/16
H01L033/22
H01L033/02
URI: http://hdl.handle.net/11536/103368
專利國: TWN
專利號碼: 201244157
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