標題: 於半導體上沉積絕緣層的方法及於該沉積之前的表面處理方法
作者: 張翼
張嘉華
林岳欽
金 海光
公開日期: 1-十二月-2012
摘要: 一種於一半導體上沉積一高介電係數氧化層的方法,包括下列步驟,提供該半導體;利用一腐蝕性液體清洗該半導體之一表面;以三甲基鋁對該表面進行表面處裡;以及沉積該高介電係數氧化層於該表面。
官方說明文件#: H01L021/8252
H01L021/314
H01L021/316
URI: http://hdl.handle.net/11536/103351
專利國: TWN
專利號碼: 201248791
顯示於類別:專利資料


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