標題: 雙埠次臨界靜態隨機存取記憶體單元
作者: 邱議德
張銘宏
楊皓義
黃威
公開日期: 16-十二月-2012
摘要: 本發明係提供一種創新的雙埠次臨界靜態隨機存取記憶體(static random access memory,下稱SRAM)單元,適用於次臨界電壓(substhreshold voltage)下操作。本發明之雙埠次臨界SRAM單元在寫入時,會切斷記憶元件之正回授,並應用反短通道效應(reverse short-channel effect,RSCE)增强寫入能力。而本發明單端讀寫的架構更能夠進一步降低長位線(long bit line)所造成的功率消耗,因此更適合應用於長時間工作之先進先出(first-in first-out,FIFO)記憶體設計。據此,本發明之SRAM單元在次臨界電壓下仍然能夠提供穩定的操作,解決習知記憶體單元因降低電壓而造成穩定度下降的問題。
官方說明文件#: G11C011/413
G11C008/04
URI: http://hdl.handle.net/11536/103344
專利國: TWN
專利號碼: 201250684
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