標題: 非揮發性半導體記憶體裝置
作者: 林鴻志
林哲民
公開日期: 16-十二月-2012
摘要: 本發明提供一種非揮發性半導體記憶體裝置,具有共用背閘極的獨立雙閘極SONOS記憶胞陣列的非揮發性記憶體結構,可應用於三維積成的快閃記憶體上。此種結構由於獨立雙閘極的控制,具有改善短通道效應、高寫入或抹移除效率,及有效避免讀取干擾等操作特性上的優點,藉由共用背閘極以及無接面的特性,可大幅簡化製程。
官方說明文件#: G11C016/12
H01L021/8247
H01L027/115
URI: http://hdl.handle.net/11536/103343
專利國: TWN
專利號碼: 201250694
顯示於類別:專利資料


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