標題: 半導體裝置及其操作方法與應用電路
作者: 白田理一郎
渡邊浩志
公開日期: 1-一月-2013
摘要: 一種半導體裝置及其操作方法與應用電路。藉由調整施加於雙重井區上的偏壓,來降低控制閘極擴散層、源極擴散層與汲極擴散層之間的漏電流,進而提高應用半導體裝置之無電池電子計時器的準確性並降低生產成本。
官方說明文件#: H01L021/145
H01L021/335
H01L027/088
URI: http://hdl.handle.net/11536/103335
專利國: TWN
專利號碼: 201301349
顯示於類別:專利資料


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