標題: 多孔奈米結構之製作方法
作者: 張原銘
莊振益
公開日期: 16-四月-2013
摘要: 一種多孔奈米結構之製作方法,係藉由在一半導體基材上進行一濺鍍製程,以形成一金屬奈米網格陣列。之後,再對上述之半導體基材與金屬奈米網格陣列進行一乾蝕刻製程,以在半導體基材上形成一多孔奈米結構。利用此種製作方法,僅需兩道製程步驟,即可完成高性能之抗反射多孔矽奈米仿生結構的製作,相較於習知,可有效兼具減少繁瑣製程步驟以及具備高抗反射性之優點。
官方說明文件#: B82B003/00
H01L021/3065
URI: http://hdl.handle.net/11536/103293
專利國: TWN
專利號碼: 201315675
顯示於類別:專利資料


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