標題: 獨立閘極控制靜態隨機存取記憶體
作者: 莊景德
陳盈年
謝建宇
范銘隆
胡璧合
蘇彬
公開日期: 1-五月-2013
摘要: 本發明提供一種靜態隨機存取記憶體,為七顆鰭狀電晶體架構,其使用獨立閘極超高臨界電壓的鰭狀場效電晶體,達到類似堆疊性質以消除讀取干擾以及半選取干擾,同時使用保持電路和讀取電壓控制,來降低讀取時位元線上的漏電流。再者,能有效解決先前技術使用六顆電晶體的SRAM架構,操作於較低電壓下,容易發生讀取錯誤的問題。
官方說明文件#: G11C011/412
G11C011/417
URI: http://hdl.handle.net/11536/103285
專利國: TWN
專利號碼: 201317991
顯示於類別:專利資料


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