標題: 多位元電阻切換記憶體元件與陣列
作者: 侯拓宏
吳仕傑
公開日期: 16-五月-2013
摘要: 本發明提供一種多位元電阻切換記憶體元件及陣列。每一記憶體元件可形成多個導通路徑,導通路徑彼此獨立,且任一導通路徑之電阻可為高電阻狀態或低電阻狀態,而形成多位元電阻切換記憶體元件。利用多位元電阻切換記憶體元件排列而成之陣列,可提供結構簡單、高密度、高效能以及低成本的記憶體裝置。
官方說明文件#: H01L027/24
G11C008/12
URI: http://hdl.handle.net/11536/103279
專利國: TWN
專利號碼: 201320323
顯示於類別:專利資料


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