標題: 半導體元件及其製作方法
作者: 張翼
林岳欽
張嘉華
金 海光
公開日期: 16-六月-2013
摘要: 本發明提出一種半導體元件及其製作方法。該半導體元件包含:三五族半導體層;一氧化鋁層,形成於該三五族半導體層上;以及一鑭系氧化物層,形成於該氧化鋁層上。該製造半導體元件的方法包含:形成一氧化鋁層於三五族半導體層與一鑭系氧化物層之間,以防止該三五族半導體層與該鑭系氧化物層之間的原子擴散作用。
官方說明文件#: H01L021/20
H01L021/316
H01L029/94
URI: http://hdl.handle.net/11536/103259
專利國: TWN
專利號碼: 201324587
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. 201324587.pdf