標題: 具有空氣介質層之半導體光電元件及空氣介質層之製作方法
作者: 盧廷昌
黃煇閔
郭浩中
王興宗
公開日期: 16-六月-2013
摘要: 一種在半導體光電元件中製作空氣介質層的方法,其步驟包含:提供一基板;在基板上形成氮化鎵薄膜;在氮化鎵薄膜上形成犧牲層;犧牲層上形成含氮化合物半導體層;將具有犧牲層之半導體光電元件之半成品浸泡在酸性溶液中以移除部份之犧牲層而在氮化鎵薄膜及含氮化合物半導體層之間殘留之犧牲層與四周之空間形成一空氣介質層。
官方說明文件#: H01L033/00
H01L033/10
URI: http://hdl.handle.net/11536/103257
專利國: TWN
專利號碼: 201324838
顯示於類別:專利資料


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