標題: 鍺次氧化物移除方法
作者: 劉柏村
黃震鑠
公開日期: 16-七月-2013
摘要: 本發明提供一種用於移除形成於一鍺半導體基材與一介電層之間的鍺次氧化物的方法,包含準備一組成份包括一種二氧化碳超臨界流體和一氧化劑的超臨界流體組成物,且以該二氧化碳超臨界流體的體積百分比為100%計,該氧化劑的體積百分比不大於該二氧化碳超臨界流體體積的5~10%,接著在溫度不高於200℃的條件下,利用該超臨界流體組成物處理該鍺半導體元件,令該氧化劑與高介電常數材料及鍺次氧化物之間產生氧化還原反應,即可在低溫(<200℃)條件下將形成於該鍺半導體基材與介電層之間的鍺次氧化物移除。
官方說明文件#: H01L021/306
C11D007/04
URI: http://hdl.handle.net/11536/103237
專利國: TWN
專利號碼: 201330083
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