標題: 形成一T型閘極結構的方法
作者: 張翼
黃祿哲
張嘉華
林岳欽
成維華
劉世謙
公開日期: 16-七月-2013
摘要: 形成T型閘極結構的方法。首先,提供一半導體基材,並於半導體基材上形成一具有至少兩種顯影速率之光阻體結構。接著,根據一遮罩,圖案化光阻體結構,其中係對該光阻體結構進行斜向曝光,並根據該至少兩種顯影速率顯影曝光後之光阻體結構,來形成一光阻槽道並暴露出部分半導體基材,其中所形成之光阻槽道具有一相較於底部還要寬的上方部分。接著,將閘極材質回填於光阻槽道,並移除圖案化光阻體結構,形成該T型閘極結構。
官方說明文件#: H01L021/336
H01L021/28
URI: http://hdl.handle.net/11536/103236
專利國: TWN
專利號碼: 201330111
顯示於類別:專利資料


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