標題: 具有高電子遷移率之氮化鎵電晶體結構
作者: 張翼
張嘉華
林岳欽
陳宥綱
劉世謙
公開日期: 16-七月-2013
摘要: 一種具有高電子遷移率之氮化鎵電晶體結構,包括一基板、一位於基板上之氮化鎵磊晶層、至少一位於氮化鎵磊晶層上之歐姆接觸層、一位於氮化鎵磊晶層之上的金屬閘極層、以及一位於金屬閘極層與氮化鎵磊晶層之間的擴散阻擋層。利用此一擴散阻擋層,可用以阻擋金屬閘極層之擴散,使得氮化鎵電晶體結構具有較佳之元件特性及可靠度。
官方說明文件#: H01L029/778
URI: http://hdl.handle.net/11536/103234
專利國: TWN
專利號碼: 201330257
顯示於類別:專利資料


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