標題: 具有漸變含量之電洞穿隧層之發光元件
作者: 王朝勳
郭浩中
公開日期: 16-九月-2013
摘要: 一種具有漸變含量之電洞穿隧層之發光元件,包含:基板;n-型半導體層,設置在基板上,n-型半導體層具有第一部份及第二部份;具有漸變含量之電洞穿隧層,設置在n-型半導體層之第一部份上;電子阻擋層,設置在具有漸變含量之電洞穿隧層上;p-型半導體層,設置在電子阻擋層上;第一電極,設置在p-型半導體層上;以及第二電極,設置在n-型半導體層之第二部份上且與n-型導體層之第一部份上之結構電性分離,且第二電極與第一電極之電性相反,藉由具有漸變含量之電洞穿隧層做為多重量子井層,在寬能隙發光元件中,提高電洞傳遞效率,進一步的提高發光效率。
官方說明文件#: H01L033/04
URI: http://hdl.handle.net/11536/103205
專利國: TWN
專利號碼: 201338197
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