標題: 晶圓次微米接合方法及其接合層
作者: 陳冠能
張耀仁
公開日期: 16-一月-2014
摘要: 本發明提供一種晶圓次微米接合方法及其接合層。本發明之接合層包含有一位於晶圓之欲接合表面上的底部金屬層,一位於底部金屬層上的中間擴散緩衝金屬層;一位於中間緩衝金屬層上且可與底部金屬共晶反應的上方金屬層,此中間擴散緩衝金屬層之熔點高於上方金屬層與底部金屬層。兩個表面形成有接合層之晶圓進行接合時,兩上方金屬層先液相接合,至中間擴散緩衝金屬層隨上方金屬層熔融後均勻分佈,底部金屬層與上方金屬層相互擴散,將上方金屬層完全消耗反應成為一具有低電阻之金屬共晶相位之化合物。
官方說明文件#: H01L021/50
H01L023/12
URI: http://hdl.handle.net/11536/103164
專利國: TWN
專利號碼: 201403721
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